2N3791
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N3791中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 50 @1A, 2V
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2N3791引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3791
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3791 品牌： Central Semiconductor 封装： TO3 | 当前型号 | Trans Pnp 60V 10A To-3 | 当前型号 |
| 型号： JAN2N3791 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 功能相似 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3791和JAN2N3791的区别 |
| 型号： JANTXV2N3791 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 功能相似 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3791和JANTXV2N3791的区别 |
| 型号： JANTX2N3791 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 功能相似 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3791和JANTX2N3791的区别 |