2SB1427T100E
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1427T100E中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 390 @500mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 820
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 MPT-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1427T100E引脚图与封装图 
2SB1427T100E引脚图
2SB1427T100E封装图
2SB1427T100E封装焊盘图
在线购买2SB1427T100E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1427T100E | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP 功率晶体管，Rohm ### 双极晶体管，ROHM | 搜索库存 |
替代型号2SB1427T100E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1427T100E 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MPT PNP -20V -2A 2000mW | 当前型号 | PNP 功率晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM | 当前型号 |
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