2SD2096T114E
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC 60.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V
额定功率Max 1.8 W
安装方式 Through Hole
封装 HRT
封装 HRT
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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