2SB1561T100Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1561T100Q中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 2 W
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 270
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SB1561T100Q引脚图与封装图 
2SB1561T100Q引脚图
2SB1561T100Q封装图
2SB1561T100Q封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1561T100Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 200 MHz, 500 mW, 1 A, 120 hFE | 搜索库存 |