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2SCR502UBTL

2SCR502UBTL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 360 MHz, 200 mW, 500 mA, 200 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 500 mA 360MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3F


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2SCR502UBTL中文资料参数规格
技术参数

频率 360 MHz

额定功率 0.2 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 360 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

2SCR502UBTL引脚图与封装图
2SCR502UBTL引脚图

2SCR502UBTL引脚图

2SCR502UBTL封装图

2SCR502UBTL封装图

2SCR502UBTL封装焊盘图

2SCR502UBTL封装焊盘图

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