2SCR502UBTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
频率 360 MHz
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 360 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 200
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
2SCR502UBTL引脚图
2SCR502UBTL封装图
2SCR502UBTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SCR502UBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 360 MHz, 200 mW, 500 mA, 200 hFE | 搜索库存 |