2SB1197KT146R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1197KT146R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1197KT146R引脚图与封装图 
2SB1197KT146R引脚图
2SB1197KT146R封装图
2SB1197KT146R封装焊盘图
在线购买2SB1197KT146R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1197KT146R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 低频晶体管（ 32V ， 0.8A ） Low Frequency Transistor 32V, 0.8A | 搜索库存 |
替代型号2SB1197KT146R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1197KT146R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-346 PNP -32V -800mA 200mW | 当前型号 | 低频晶体管（ 32V ， 0.8A ） Low Frequency Transistor 32V, 0.8A | 当前型号 |
| 型号： 2SB1197KT146Q 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-59 PNP -32V -800mA 200mW | 类似代替 | PNP -32V -0.8A功率晶体管 | 2SB1197KT146R和2SB1197KT146Q的区别 |