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2SA1727TLP

2SA1727TLP

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

2SA1727TLP PNP三极管 -400V -500mA/-0.5A 12MHz 135~270 -1000mV/-1V TO-252/DPAK marking/标记 A1727 高击穿电压

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -400V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| -400V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 12MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 135~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| High-voltage Switching Transistor Features 1 High breakdown voltage, BVCEO= 400V. 2 Low saturation voltage, typically VCE sat = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA. 3 High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA. 4 Wide SOA safe operating area. 描述与应用| 高压开关 特点 1)高击穿电压BVCEO= 400V。 2)低饱和电压,通常VCE(sat)的IC / IB= 0.3V=100mA/10毫安的。 3)高开关速度,通常是TF:IC=100MA1秒。 4)宽安全工作区(SOA)

2SA1727TLP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -400 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 82 @50mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 82

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA1727TLP引脚图与封装图
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2SA1727TLP ROHM Semiconductor 罗姆半导体 2SA1727TLP PNP三极管 -400V -500mA/-0.5A 12MHz 135~270 -1000mV/-1V TO-252/DPAK marking/标记 A1727 高击穿电压 搜索库存