额定电压DC 11.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
增益频宽积 3.2 GHz
击穿电压集电极-发射极 11 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 56
最大电流放大倍数hFE 82 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC3838KT146P引脚图
2SC3838KT146P封装图
2SC3838KT146P封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC3838KT146P | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 高频放大器晶体管( 11V , 50mA时为3.2GHz ) High-Frequency Amplifier Transistor11V, 50mA, 3.2GHz | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SC3838KT146P 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SMT NPN 11V 50mA 200mW | 当前型号 | 高频放大器晶体管( 11V , 50mA时为3.2GHz ) High-Frequency Amplifier Transistor11V, 50mA, 3.2GHz | 当前型号 | |
型号: 2SC3838KT146N 品牌: 罗姆半导体 封装: SMT NPN 11V 50mA 200mW | 类似代替 | ROHM 2SC3838KT146N 单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 200 mW, 50 mA, 56 hFE | 2SC3838KT146P和2SC3838KT146N的区别 |