2N6317
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N6317中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 115 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 25 @2.5A, 4V
额定功率Max 90 W
耗散功率Max 115000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
2N6317引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6317
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6317 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 115000mW | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin2+Tab TO-66 | 当前型号 |
| 型号： 2N6318 品牌： 美高森美 封装： TO-66 90000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 80V 7A 3Pin2+Tab TO-66 | 2N6317和2N6318的区别 |
| 型号： 2N6372 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 6A 3Pin2+Tab TO-66 | 2N6317和2N6372的区别 |
| 型号： 2N6316 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 类似代替 | PNP Transistor | 2N6317和2N6316的区别 |