2SAR552PT100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SAR552PT100中文资料参数规格
技术参数
频率 330 MHz
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 PB free
2SAR552PT100引脚图与封装图 
2SAR552PT100引脚图
2SAR552PT100封装图
2SAR552PT100封装焊盘图
在线购买2SAR552PT100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SAR552PT100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MPT PNP 30V 3A | 搜索库存 |
替代型号2SAR552PT100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SAR552PT100 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MPT PNP 2W | 当前型号 | MPT PNP 30V 3A | 当前型号 |
| 型号： 2SAR533PT100 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT PNP 2000mW | 类似代替 | 2SAR533PT100 编带 | 2SAR552PT100和2SAR533PT100的区别 |
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| 型号： 2SAR513PT100 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT-3 PNP 2000mW | 类似代替 | PNP 功率晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM Semiconductor | 2SAR552PT100和2SAR513PT100的区别 |