
增益频宽积 40 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40
最大电流放大倍数hFE 120
安装方式 Through Hole
封装 TO-39-3
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 6.6 mm
封装 TO-39-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N3421 品牌: Central Semiconductor 封装: TO39 | 当前型号 | Trans Npn 80V To39 | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N3421S 品牌: 美高森美 封装: TO-39 NPN 1000mW | 功能相似 | TO-39 NPN 80V 3A | 2N3421和JANTXV2N3421S的区别 | |
型号: JANTXV2N5154 品牌: 美高森美 封装: TO-39 1000mW | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3421和JANTXV2N5154的区别 | |
型号: JANTX2N5154 品牌: 美高森美 封装: TO-39 1000mW | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3421和JANTX2N5154的区别 |