2SAR572DGTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SAR572DGTL中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 10 W
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 10 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SAR572DGTL引脚图与封装图
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在线购买2SAR572DGTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SAR572DGTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT PNP 50V 3A | 搜索库存 |
替代型号2SAR572DGTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SAR572DGTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252-3 PNP | 当前型号 | CPT PNP 50V 3A | 当前型号 |
| 型号： 2SAR572D3TL1 品牌： 罗姆半导体 封装： | 完全替代 | POWER TRANSISTOR WITH LOW VCESA | 2SAR572DGTL和2SAR572D3TL1的区别 |