频率 100 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 10 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2SB1181TLQ引脚图
2SB1181TLQ封装图
2SB1181TLQ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SB1181TLQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor â80V, â1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SB1181TLQ 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: CPT PNP -80V -1A 1000mW | 当前型号 | 功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor â80V, â1A | 当前型号 | |
型号: 2SB1181TLR 品牌: 罗姆半导体 封装: DPAK PNP -80V -1A 1000mW | 类似代替 | CPT PNP 80V 1A | 2SB1181TLQ和2SB1181TLR的区别 |