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2SD2673TL
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 MHz, 500 mW, 3 A, 270 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 200MHz 表面贴装型 TSMT3


得捷:
TRANS NPN 30V 3A TSMT3


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Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R


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Win Source:
TRANS NPN 30V 3A TSMT 3


2SD2673TL中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.00 A

额定功率 1 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 680

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 270

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.60 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD2673TL引脚图与封装图
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