额定电压DC 50.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 210 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 2V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-243
封装 TO-243
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC4672T100P | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 低频晶体管( 50V , 3A ) Low Frequency Transistor 50V, 3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SC4672T100P 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-89 NPN 50V 3A 2000mW | 当前型号 | 低频晶体管( 50V , 3A ) Low Frequency Transistor 50V, 3A | 当前型号 | |
型号: 2SC4672T100Q 品牌: 罗姆半导体 封装: MPT NPN 50V 3A 2000mW | 类似代替 | ROHM 2SC4672T100Q 单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 210 MHz, 500 mW, 3 A, 120 hFE | 2SC4672T100P和2SC4672T100Q的区别 | |
型号: 2SD1623S-TD-E 品牌: 安森美 封装: TO-243AA N-Channel 500mW | 功能相似 | PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | 2SC4672T100P和2SD1623S-TD-E的区别 | |
型号: 2SD2185 品牌: 松下 封装: | 功能相似 | NPN硅外延平面型(对于低频输出放大) Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency output amplification | 2SC4672T100P和2SD2185的区别 |