针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 10 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 10 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SCR574DGTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 280 MHz, 10 W, 2 A, 120 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SCR574DGTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TO-252 NPN | 当前型号 | 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 280 MHz, 10 W, 2 A, 120 hFE | 当前型号 | |
型号: 2SCR574D3TL1 品牌: 罗姆半导体 封装: | 完全替代 | 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 280 MHz, 10 W, 2 A, 120 hFE | 2SCR574DGTL和2SCR574D3TL1的区别 | |
型号: 2SD1733TLR 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-63 NPN 80V 1A 1000mW | 类似代替 | ROHM 2SD1733TLR 单晶体管 双极, 高速, NPN, 80 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 180 hFE | 2SCR574DGTL和2SD1733TLR的区别 |