2SA11230RA

Panasonic(松下) 分立器件

TO-92-B1 PNP 150V 0.05A

Bipolar BJT Transistor PNP 150V 50mA 200MHz 750mW Through Hole TO-92

得捷:
TRANS PNP 150V 0.05A TO92-B1

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.05A 3-Pin TO-92-B1

Win Source:
TRANS PNP 150V 0.05A TO92-B1 / Bipolar BJT Transistor PNP 150 V 50 mA 200MHz 750 mW Through Hole TO-92-B1

2SA11230RA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -50.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 130 @10mA, 5V

额定功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA11230RA引脚图与封装图

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