2SAR533PT100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SAR533PT100中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SAR533PT100引脚图与封装图 
2SAR533PT100引脚图
2SAR533PT100封装图
2SAR533PT100封装焊盘图
在线购买2SAR533PT100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SAR533PT100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SAR533PT100 编带 | 搜索库存 |
替代型号2SAR533PT100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SAR533PT100 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MPT PNP 2000mW | 当前型号 | 2SAR533PT100 编带 | 当前型号 |
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