2SB1260T100R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
频率 100 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
封装 MPT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
2SB1260T100R引脚图
2SB1260T100R封装图
2SB1260T100R封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SB1260T100R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor â80V, â1A | 搜索库存 |