2SCR543RTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
频率 300 MHz
额定功率 1 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 450 @100mA, 3V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 180
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-96-3
封装 SC-96-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
2SCR543RTL引脚图
2SCR543RTL封装图
2SCR543RTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SCR543RTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 300 MHz, 500 mW, 3 A, 180 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SCR543RTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TSMT NPN | 当前型号 | 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 300 MHz, 500 mW, 3 A, 180 hFE | 当前型号 | |
型号: 2SCR533DTL 品牌: 罗姆半导体 封装: CPT NPN 1000mW | 功能相似 | CPT NPN 50V 3A | 2SCR543RTL和2SCR533DTL的区别 |