频率 400 MHz
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -1.50 A
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 200 mW
增益频宽积 400 MHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 270
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2SB1689T106引脚图
2SB1689T106封装图
2SB1689T106封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SB1689T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP 功率晶体管,Rohm ### 双极晶体管,ROHM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SB1689T106 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT3 PNP -12V -1.5A 200mW | 当前型号 | PNP 功率晶体管,Rohm### 双极晶体管,ROHM | 当前型号 | |
型号: 2SB1709TL 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT-3 PNP -12V -1.5A 0.5W | 类似代替 | PNP 晶体管,ROHM### 双极晶体管,ROHM | 2SB1689T106和2SB1709TL的区别 | |
型号: 2SB1732TL 品牌: 罗姆半导体 封装: TUMT PNP 0.8W | 功能相似 | PNP 晶体管,ROHM### 双极晶体管,ROHM | 2SB1689T106和2SB1732TL的区别 |