2SB1732TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1732TL中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
额定功率 0.4 W
极性 PNP
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 270
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TUMT-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 TUMT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1732TL引脚图与封装图 
2SB1732TL引脚图
2SB1732TL封装图
2SB1732TL封装焊盘图
替代型号2SB1732TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1732TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMT PNP 0.8W | 当前型号 | PNP 晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM | 当前型号 |
| 型号： 2SB1689T106 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT3 PNP -12V -1.5A 200mW | 功能相似 | PNP 功率晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM | 2SB1732TL和2SB1689T106的区别 |
| 型号： 2SB1709TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT-3 PNP -12V -1.5A 0.5W | 功能相似 | PNP 晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM | 2SB1732TL和2SB1709TL的区别 |