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2SCR514PT100

2SCR514PT100

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

2SCR514PT100 编带

- 双极 BJT - 单 NPN 320MHz 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS NPN 80V 0.7A MPT3


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NPN 80V 700mA


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 80V 700mA Transistor


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Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R


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Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 700MA SOT-89


2SCR514PT100中文资料参数规格
技术参数

频率 320 MHz

额定功率 2 W

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SCR514PT100引脚图与封装图
2SCR514PT100引脚图

2SCR514PT100引脚图

2SCR514PT100封装图

2SCR514PT100封装图

2SCR514PT100封装焊盘图

2SCR514PT100封装焊盘图

在线购买2SCR514PT100
型号 制造商 描述 购买
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替代型号2SCR514PT100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SCR514PT100

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: MPT-3 NPN 2000mW

当前型号

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