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2SD1898T100Q

2SD1898T100Q

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  2SD1898T100Q  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS NPN 80V 1A MPT3


立创商城:
NPN 80V 1A


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE


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Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


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Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


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2SD1898 Series 80 V 1 A 2 W Surface Mount NPN Power Transistor - MPT3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R


Newark:
# ROHM  2SD1898T100Q  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE


Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT-89


2SD1898T100Q中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 82

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

2SD1898T100Q引脚图与封装图
2SD1898T100Q引脚图

2SD1898T100Q引脚图

2SD1898T100Q封装图

2SD1898T100Q封装图

2SD1898T100Q封装焊盘图

2SD1898T100Q封装焊盘图

在线购买2SD1898T100Q
型号 制造商 描述 购买
2SD1898T100Q ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  2SD1898T100Q  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE 搜索库存
替代型号2SD1898T100Q
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SD1898T100Q

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: MPT NPN 80V 1A 2000mW

当前型号

ROHM  2SD1898T100Q  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE

当前型号

型号: NTE2428

品牌: NTE Electronics

封装:

类似代替

SOT-89 NPN 1A

2SD1898T100Q和NTE2428的区别

型号: 2SD1898T100

品牌: 罗姆半导体

封装: MPT NPN

类似代替

MPT NPN 80V 1A

2SD1898T100Q和2SD1898T100的区别

型号: FCX493TA

品牌: 美台

封装: SOT-89-3 NPN 100V 1A 1000mW

功能相似

FCX493TA 编带

2SD1898T100Q和FCX493TA的区别