频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
2SD1898T100Q引脚图
2SD1898T100Q封装图
2SD1898T100Q封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SD1898T100Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SD1898T100Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SD1898T100Q 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: MPT NPN 80V 1A 2000mW | 当前型号 | ROHM 2SD1898T100Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE | 当前型号 | |
型号: NTE2428 品牌: NTE Electronics 封装: | 类似代替 | SOT-89 NPN 1A | 2SD1898T100Q和NTE2428的区别 | |
型号: 2SD1898T100 品牌: 罗姆半导体 封装: MPT NPN | 类似代替 | MPT NPN 80V 1A | 2SD1898T100Q和2SD1898T100的区别 | |
型号: FCX493TA 品牌: 美台 封装: SOT-89-3 NPN 100V 1A 1000mW | 功能相似 | FCX493TA 编带 | 2SD1898T100Q和FCX493TA的区别 |