频率 350 MHz
额定电压DC 20.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
增益频宽积 350 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 820
最大电流放大倍数hFE 1200 @10mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD2114KT146W引脚图
2SD2114KT146W封装图
2SD2114KT146W封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SD2114KT146W | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 小信号晶体管,Rohm ### 双极晶体管,ROHM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SD2114KT146W 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SMT NPN 20V 500mA 0.2W | 当前型号 | NPN 小信号晶体管,Rohm### 双极晶体管,ROHM | 当前型号 | |
型号: 2SD2114KT146V 品牌: 罗姆半导体 封装: SMT N-Channel 20V 500mA 200mW | 类似代替 | 高电流增益中等功率晶体管( 20V , 0.5A ) High-current Gain Medium Power Transistor 20V, 0.5A | 2SD2114KT146W和2SD2114KT146V的区别 |