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2SA1162-O,LF

2SA1162-O,LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

PNP 50V 0.15A

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini


得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor


Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI


2SA1162-O,LF中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 80 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

2SA1162-O,LF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SA1162-O,LF Toshiba 东芝 PNP 50V 0.15A 搜索库存
替代型号2SA1162-O,LF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SA1162-O,LF

品牌: Toshiba 东芝

封装: TO-236 PNP

当前型号

PNP 50V 0.15A

当前型号

型号: 2SA1162-GR,LF

品牌: 东芝

封装: S-Mini PNP 150mW

完全替代

2SA1162-GR,LF 编带

2SA1162-O,LF和2SA1162-GR,LF的区别