2N4126
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N4126中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 480
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N4126引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N4126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4126 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-92 | 当前型号 | 2N4126 系列 25 V 200 mA 通孔 小信号 晶体管 - TO-92 | 当前型号 |
| 型号： 2N4126BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -25V -200mA | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 2N4126和2N4126BU的区别 |