2SC5876T106Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SC5876T106Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SC5876T106Q引脚图与封装图 
2SC5876T106Q引脚图
2SC5876T106Q封装图
2SC5876T106Q封装焊盘图
在线购买2SC5876T106Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5876T106Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SC5876T106Q 单晶体管 双极, 高速, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE | 搜索库存 |
替代型号2SC5876T106Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5876T106Q 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMT3 NPN 60V 500mA 200mW | 当前型号 | ROHM 2SC5876T106Q 单晶体管 双极, 高速, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE | 当前型号 |
| 型号： 2SC5876FRAT106Q 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 NPN | 完全替代 | ROHM 2SC5876FRAT106Q 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE 新 | 2SC5876T106Q和2SC5876FRAT106Q的区别 |
| 型号： 2SC5876T106R 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT3 NPN 60V 500mA 0.2W | 类似代替 | ROHM 2SC5876T106R 单晶体管 双极, 高速, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 180 hFE | 2SC5876T106Q和2SC5876T106R的区别 |
| 型号： 2SC5868TLQ 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT NPN 60V 500mA 500mW | 类似代替 | TSMT NPN 60V 0.5A | 2SC5876T106Q和2SC5868TLQ的区别 |