额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
额定功率 10 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 10 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 80 MHz
耗散功率Max 10 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
2SD1980TL引脚图
2SD1980TL封装图
2SD1980TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SD1980TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SD1980TL 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 MHz, 1 W, 1 A, 1000 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SD1980TL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TO-252-3 NPN 100V 2A 1W | 当前型号 | ROHM 2SD1980TL 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 MHz, 1 W, 1 A, 1000 hFE | 当前型号 | |
型号: MJD112T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 NPN 100V 2A 20000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS MJD112T4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE | 2SD1980TL和MJD112T4的区别 | |
型号: 2SD1980 品牌: 罗姆半导体 封装: | 功能相似 | 晶体管 Transistors | 2SD1980TL和2SD1980的区别 |