
频率 80 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 5.00 A
额定功率 1 W
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.7 mm
宽度 5.8 mm
高度 2.5 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC

2SC5103TLQ引脚图

2SC5103TLQ封装图

2SC5103TLQ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SC5103TLQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 功率晶体管,ROHM ### 双极晶体管,ROHM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2SC5103TLQ 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: CPT N-Channel 60V 5A 1000mW | 当前型号 | NPN 功率晶体管,ROHM### 双极晶体管,ROHM | 当前型号 | |
型号: 2SC5103TLP 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-428 NPN 60V 5A 1000mW | 类似代替 | CPT NPN 60V 5A | 2SC5103TLQ和2SC5103TLP的区别 | |
型号: 2SCR586D3TL1 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 10 W, 5 A, 120 hFE | 2SC5103TLQ和2SCR586D3TL1的区别 | |
型号: 2N4001 品牌: API Technologies 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A IC, 100V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, | 2SC5103TLQ和2N4001的区别 |