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2SD1918TLQ

2SD1918TLQ

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Transistor Features
.
High breakdown voltage.BVCEO = 160V * Low collector output capacitance. Typ. 20pF at VCB = 10V * High transition frequency.fT = 80MHZ * Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. 描述与应用| 功率 特点 *高击穿电压（BVCEO=160V）。 *低集电极输出电容。    （典型值20pF的VCB=10V） *高转换频率（FT =80MHZ）。 *补充2SB1275/2SB1236A的。
2SD1918TLQ中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 1.50 A

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 80 MHz

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 120

最大电流放大倍数hFE 120 @0.1A, 5V

额定功率Max 10 W

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 5.8 mm

高度 2.5 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

2SD1918TLQ引脚图与封装图
2SD1918TLQ引脚图

2SD1918TLQ引脚图

2SD1918TLQ封装图

2SD1918TLQ封装图

2SD1918TLQ封装焊盘图

2SD1918TLQ封装焊盘图

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2SD1918TLQ ROHM Semiconductor 罗姆半导体 2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管 搜索库存