2SB1412TLQ
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 5.5 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1412TLQ引脚图
2SB1412TLQ封装图
2SB1412TLQ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SB1412TLQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SB1412 系列 20 V 5 A 表面贴装 PNP 低频率 晶体管 - SC-63 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SB1412TLQ 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: CPT PNP -20V -5A 1000mW | 当前型号 | 2SB1412 系列 20 V 5 A 表面贴装 PNP 低频率 晶体管 - SC-63 | 当前型号 | |
型号: 2SB873Q 品牌: 松下 封装: PNP | 功能相似 | PNP 20V 5A | 2SB1412TLQ和2SB873Q的区别 |