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2SB1412TLQ

2SB1412TLQ

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

2SB1412 系列 20 V 5 A 表面贴装 PNP 低频率 晶体管 - SC-63

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Low frequency transistor Features 1 Low VCEsat 2 Excellent DC current gain characteristics. 3 Complements the 2SD2118. 描述与应用| PNP硅外延平面 低频晶体管 特点 1)低VCE(SAT) 2)优秀DC电流增益特性。 3)补充2SD2118。

2SB1412TLQ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -5.00 A

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 5.5 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SB1412TLQ引脚图与封装图
2SB1412TLQ引脚图

2SB1412TLQ引脚图

2SB1412TLQ封装图

2SB1412TLQ封装图

2SB1412TLQ封装焊盘图

2SB1412TLQ封装焊盘图

在线购买2SB1412TLQ
型号 制造商 描述 购买
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替代型号2SB1412TLQ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SB1412TLQ

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: CPT PNP -20V -5A 1000mW

当前型号

2SB1412 系列 20 V 5 A 表面贴装 PNP 低频率 晶体管 - SC-63

当前型号

型号: 2SB873Q

品牌: 松下

封装: PNP

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