2SC4132T100Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SC4132T100Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 120 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 120 @0.1A, 5V
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-243
外形尺寸
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC4132T100Q引脚图与封装图
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