2SB1260T100Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1260T100Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
宽度 2.5 mm
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SB1260T100Q引脚图与封装图 
2SB1260T100Q引脚图
2SB1260T100Q封装图
2SB1260T100Q封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1260T100Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源 晶体管 - SC-62 | 搜索库存 |