2SD1949T106Q
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @10mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
封装 SC-70-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1949T106Q引脚图
2SD1949T106Q封装图
2SD1949T106Q封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SD1949T106Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMT NPN 50V 0.5A | 搜索库存 |