锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2SC5662T2LP

2SC5662T2LP

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  2SC5662T2LP  单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 11 V 50 mA 3.2GHz 150 mW 表面贴装型 VMT3


得捷:
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3


立创商城:
NPN 11V 50mA


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


富昌:
2SC5662 Series 11 V 50 mA SMT NPN High-Frequency Amplifier Transistor - VMT-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


Newark:
# ROHM  2SC5662T2LP  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 11V 0,05A VMT3 **


Win Source:
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3


2SC5662T2LP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 11.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 0.15 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 11 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 56

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VMT-3

外形尺寸

封装 VMT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SC5662T2LP引脚图与封装图
2SC5662T2LP引脚图

2SC5662T2LP引脚图

2SC5662T2LP封装图

2SC5662T2LP封装图

2SC5662T2LP封装焊盘图

2SC5662T2LP封装焊盘图

在线购买2SC5662T2LP
型号 制造商 描述 购买
2SC5662T2LP ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  2SC5662T2LP  单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE 搜索库存