2SA1298-Y,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

2SA1298-Y,LF 编带

Bipolar BJT Transistor PNP 25V 800mA 120MHz 200mW Surface Mount S-Mini

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PNP 25V 800mA

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TRANS PNP 25V 0.8A SMINI

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Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

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Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R

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Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R

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TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

2SA1298-Y,LF中文资料参数规格

技术参数

频率 120 MHz

耗散功率 200 mW

增益频宽积 120 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 320

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

2SA1298-Y,LF引脚图与封装图

2SA1298-Y,LF引脚图

2SA1298-Y,LF封装焊盘图

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