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2SD2696T2L

2SD2696T2L

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 400 MHz, 150 mW, 400 mA, 270 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 400mA 400MHz 150mW Surface Mount VMT3


得捷:
TRANS NPN 30V 0.4A VMT3


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低频晶体管放大用


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low VCEsat Transistor


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Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin VMT T/R


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Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin VMT T/R


2SD2696T2L中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.4A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 680

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 270

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

2SD2696T2L引脚图与封装图
2SD2696T2L引脚图

2SD2696T2L引脚图

2SD2696T2L封装图

2SD2696T2L封装图

2SD2696T2L封装焊盘图

2SD2696T2L封装焊盘图

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