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2SA1163-BL,LF

2SA1163-BL,LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

PNP 120V 0.1A

- 双极 BJT - 单 PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 S-Mini


得捷:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification


艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin SC-59


Verical:
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R


2SA1163-BL,LF中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 350 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

2SA1163-BL,LF引脚图与封装图
2SA1163-BL,LF引脚图

2SA1163-BL,LF引脚图

2SA1163-BL,LF封装图

2SA1163-BL,LF封装图

2SA1163-BL,LF封装焊盘图

2SA1163-BL,LF封装焊盘图

在线购买2SA1163-BL,LF
型号 制造商 描述 购买
2SA1163-BL,LF Toshiba 东芝 PNP 120V 0.1A 搜索库存
替代型号2SA1163-BL,LF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SA1163-BL,LF

品牌: Toshiba 东芝

封装: TO-236-3 PNP 150mW

当前型号

PNP 120V 0.1A

当前型号

型号: 2SA1312-BLTE85L,F

品牌: 东芝

封装: TO-236 0.15W

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