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2SD2351T106W

2SD2351T106W

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  2SD2351T106W  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE

NPN 小信号,Rohm


得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A UMT3


立创商城:
NPN 50V 150mA


欧时:
ROHM 2SD2351T106W , NPN 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:820, 100 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R


Newark:
# ROHM  2SD2351T106W  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE


Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323


2SD2351T106W中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 150 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 820

最大电流放大倍数hFE 2700

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 820

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

2SD2351T106W引脚图与封装图
2SD2351T106W引脚图

2SD2351T106W引脚图

2SD2351T106W封装图

2SD2351T106W封装图

2SD2351T106W封装焊盘图

2SD2351T106W封装焊盘图

在线购买2SD2351T106W
型号 制造商 描述 购买
2SD2351T106W ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  2SD2351T106W  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE 搜索库存
替代型号2SD2351T106W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SD2351T106W

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SC-70 NPN 50V 150mA 200mW

当前型号

ROHM  2SD2351T106W  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE

当前型号

型号: 2SD2351T106V

品牌: 罗姆半导体

封装: UMT3 NPN 50V 150mA 200mW

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