2SC5658T2LQ
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SC5658T2LQ中文资料参数规格
技术参数
频率 180 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 150 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
集电极击穿电压 60.0 V
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
外形尺寸
封装 VMT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
2SC5658T2LQ引脚图与封装图 
2SC5658T2LQ引脚图
2SC5658T2LQ封装图
2SC5658T2LQ封装焊盘图
在线购买2SC5658T2LQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5658T2LQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SC5658T2LQ 编带 | 搜索库存 |
替代型号2SC5658T2LQ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5658T2LQ 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMT3 NPN 50V 150mA 150mW | 当前型号 | 2SC5658T2LQ 编带 | 当前型号 |
| 型号： 2SC5658T2LR 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT3 NPN 50V 150mA 150mW | 类似代替 | 2SC5658T2LR 编带 | 2SC5658T2LQ和2SC5658T2LR的区别 |
| 型号： 2SC5658T2LS 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-723 NPN 50V 150mA | 类似代替 | VMT NPN 50V 0.15A | 2SC5658T2LQ和2SC5658T2LS的区别 |
| 型号： 2SC4617-Q-TP 品牌： 美微科 封装： | 类似代替 | SOT-523 NPN 50V 0.15A | 2SC5658T2LQ和2SC4617-Q-TP的区别 |