2SA1955FVATPL3Z
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 100 mW
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-723-3
封装 SOT-723-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SA1955FVATPL3Z | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO | 搜索库存 |