2SD1782KT146Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1782KT146Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
2SD1782KT146Q引脚图与封装图 
2SD1782KT146Q引脚图
2SD1782KT146Q封装图
2SD1782KT146Q封装焊盘图
在线购买2SD1782KT146Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1782KT146Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SD1782KT146Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE | 搜索库存 |
替代型号2SD1782KT146Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1782KT146Q 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-236-3 NPN 80V 500mA 200mW | 当前型号 | ROHM 2SD1782KT146Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBTA06-TP 品牌： 美微科 封装： TO-236-3 NPN 80V 500mA 300mW | 功能相似 | SOT-23 NPN 80V 0.5A | 2SD1782KT146Q和MMBTA06-TP的区别 |
| 型号： FMMTA06TA 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 80V 500mA 330mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | 2SD1782KT146Q和FMMTA06TA的区别 |