锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2SD2114KT146V

2SD2114KT146V

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

高电流增益中等功率晶体管( 20V , 0.5A ) High-current Gain Medium Power Transistor 20V, 0.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 500mA 350MHz 200mW Surface Mount SMT3


得捷:
TRANS NPN 20V 0.5A SMT3


立创商城:
NPN 20V 500mA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 20V 0.5A


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 350 MHz, 200 mW, 500 mA, 820 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin SMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 25V 0,5A SMT3 **


DeviceMart:
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346


Win Source:
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346


2SD2114KT146V中文资料参数规格
技术参数

频率 350 MHz

额定电压DC 20.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 350 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 820 @10mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 2700

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 820

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-59-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SD2114KT146V引脚图与封装图
2SD2114KT146V引脚图

2SD2114KT146V引脚图

2SD2114KT146V封装图

2SD2114KT146V封装图

2SD2114KT146V封装焊盘图

2SD2114KT146V封装焊盘图

在线购买2SD2114KT146V
型号 制造商 描述 购买
2SD2114KT146V ROHM Semiconductor 罗姆半导体 高电流增益中等功率晶体管( 20V , 0.5A ) High-current Gain Medium Power Transistor 20V, 0.5A 搜索库存
替代型号2SD2114KT146V
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SD2114KT146V

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SMT N-Channel 20V 500mA 200mW

当前型号

高电流增益中等功率晶体管( 20V , 0.5A ) High-current Gain Medium Power Transistor 20V, 0.5A

当前型号

型号: 2SD2114KT146W

品牌: 罗姆半导体

封装: SMT NPN 20V 500mA 0.2W

类似代替

NPN 小信号晶体管,Rohm### 双极晶体管,ROHM

2SD2114KT146V和2SD2114KT146W的区别