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2SA1577T106Q

2SA1577T106Q

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

中功率晶体管 Medium Power Transistor

- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 500 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3


得捷:
TRANS PNP 32V 0.5A UMT3


欧时:
PNP Driver Transistor


立创商城:
PNP 32V 500mA


艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin UMT T/R


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Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 32V 0,5A UMT3 **


Win Source:
TRANS PNP 32V 0.5A SOT-323


2SA1577T106Q中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UMT-3

外形尺寸

封装 UMT-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SA1577T106Q引脚图与封装图
2SA1577T106Q引脚图

2SA1577T106Q引脚图

2SA1577T106Q封装图

2SA1577T106Q封装图

2SA1577T106Q封装焊盘图

2SA1577T106Q封装焊盘图

在线购买2SA1577T106Q
型号 制造商 描述 购买
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替代型号2SA1577T106Q
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SA1577T106Q

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: UMT3 PNP -32V -500mA 200mW

当前型号

中功率晶体管 Medium Power Transistor

当前型号

型号: 2SA1577T106R

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-323 PNP -32V -500mA 200mW

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