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2SA1162-GR,LF

2SA1162-GR,LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

2SA1162-GR,LF 编带

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini


立创商城:
PNP 50V 150mA


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TRANS PNP 50V 0.15A SMINI


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2SA1162-GR,LF中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SA1162-GR,LF引脚图与封装图
2SA1162-GR,LF引脚图

2SA1162-GR,LF引脚图

2SA1162-GR,LF封装图

2SA1162-GR,LF封装图

2SA1162-GR,LF封装焊盘图

2SA1162-GR,LF封装焊盘图

在线购买2SA1162-GR,LF
型号 制造商 描述 购买
2SA1162-GR,LF Toshiba 东芝 2SA1162-GR,LF 编带 搜索库存
替代型号2SA1162-GR,LF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2SA1162-GR,LF

品牌： Toshiba 东芝

封装： S-Mini PNP 150mW

当前型号

2SA1162-GR,LF 编带

当前型号

型号： 2SA1162-O,LF

品牌： 东芝

封装： TO-236 PNP

完全替代

PNP 50V 0.15A

2SA1162-GR,LF和2SA1162-O,LF的区别

型号： 2SA1162S-GR,LFD

品牌： 东芝

封装： TO-236-3

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