2SA1587-GR,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
2SA1587-GR,LF中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SA1587-GR,LF引脚图与封装图 
2SA1587-GR,LF引脚图
2SA1587-GR,LF封装焊盘图
在线购买2SA1587-GR,LF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA1587-GR,LF | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Transistor for Low Freq. Amplification | 搜索库存 |
替代型号2SA1587-GR,LF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA1587-GR,LF 品牌： Toshiba 东芝 封装： SC-70 PNP 100mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Transistor for Low Freq. Amplification | 当前型号 |
| 型号： MMBT2907A-G 品牌： 上华科技 封装： SOT-23-3 PNP | 功能相似 | SOT-23 PNP 60V 0.6A | 2SA1587-GR,LF和MMBT2907A-G的区别 |