
频率 350 MHz
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-85
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-85
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

2SCR523UBTL引脚图

2SCR523UBTL封装图

2SCR523UBTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SCR523UBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 小信号晶体管,Rohm ### 双极晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SCR523UBTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SC-85 NPN 200mW | 当前型号 | NPN 小信号晶体管,Rohm### 双极晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: 2SCR523EBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3F NPN 150mW | 功能相似 | 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 350 MHz, 150 mW, 100 mA, 120 hFE | 2SCR523UBTL和2SCR523EBTL的区别 | |
型号: 2SCR523MT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT NPN 0.15W | 功能相似 | 2SCR523MT2L 编带 | 2SCR523UBTL和2SCR523MT2L的区别 |