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2N7002-7-F

2N7002-7-F

数据手册.pdf
Multicomp 分立器件
2N7002-7-F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

2N7002-7-F引脚图与封装图
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在线购买2N7002-7-F
型号 制造商 描述 购买
2N7002-7-F Multicomp MULTICOMP  2N7002-7-F  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23 搜索库存
替代型号2N7002-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002-7-F

品牌: Multicomp

封装: SOT-23 N-Channel

当前型号

MULTICOMP  2N7002-7-F  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23

当前型号

型号: BSS138-7-F

品牌: Multicomp

封装: SOT-23 N-Channel

类似代替

MULTICOMP  BSS138-7-F  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 1.4Ω, 200mA, SOT-23-3

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型号: 2N7002LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms

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ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

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型号: BSS123LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF

功能相似

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

2N7002-7-F和BSS123LT1G的区别