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2ED020I12FIXUMA1

2ED020I12FIXUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

Infineon 2ED020I12FIXUMA1 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, -1A, 14 → 18 V电源, 18引脚 SOIC封装

EiceDRIVER 半桥隔离栅极驱动器集成电路,

**EiceDRIVER****2EDL** 是紧凑型 600V 半桥驱动器系列,可提供电流,以启用和禁用电源器件以及提供隔离。EDL 增强系列具有过压保护、主动关闭,可在消费及家用电器中使用。Infineon **EiceDRIVER** 2EDL 系列基于电平移位器绝缘硅技术 SOI,该技术控制 MOS 晶体管并包含限幅二极管。

过电流比较器

启用功能,故障指示器

单独控制电路

欠压电源过滤检测

离线格栅夹紧功能

不对称欠压锁定

超快限幅二极管


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:1A 拉:2A


欧时:
Infineon 2ED020I12FIXUMA1 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, -1A, 14 → 18 V电源, 18引脚 SOIC封装


e络盟:
晶体管, IGBT 驱动器, -40 至 125度 C


艾睿:
Driver 2A 1-OUT High Side Non-Inv 18-Pin DSO T/R


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 18-Pin DSO T/R


Chip1Stop:
Driver 2A 1-OUT High Side Non-Inv 18-Pin DSO T/R


Verical:
Driver 2A 1-OUT High Side Non-Inv 18-Pin DSO T/R


Win Source:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2 / Half-Bridge Gate Driver IC Inverting PG-DSO-18-2


2ED020I12FIXUMA1中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 2

针脚数 18

耗散功率 1.4 W

上升时间 40 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1400 mW

电源电压 14V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 14 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 18

封装 PG-DSO-18-2

外形尺寸

长度 12.8 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.45 mm

封装 PG-DSO-18-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Drives, Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Commercial and Agriculture Vehicles

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2ED020I12FIXUMA1引脚图与封装图
2ED020I12FIXUMA1电路图

2ED020I12FIXUMA1电路图

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